JAN1N5819UR-1 Microchip / Microsemi
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Technische Details JAN1N5819UR-1 Microchip / Microsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/586.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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JAN1N5819UR-1 | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB Bag |
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JAN1N5819UR-1 | Hersteller : MICROSEMI |
DO213AB/SCHOTTKY RECTIFIER 1N5819 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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JAN1N5819UR-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/586 |
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