JAN2N3716 Microchip / Microsemi
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Technische Details JAN2N3716 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 5 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| JAN2N3716 | Hersteller : MOTOROLA |
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| JAN2N3716 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 5 W |
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