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JANS1N5819UR-1/TR

JANS1N5819UR-1/TR Microchip Technology


7353131895-lds-0301-1.pdf Hersteller: Microchip Technology
1 Amp Schottky Barrier Rectifiers
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Technische Details JANS1N5819UR-1/TR Microchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/586.

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JANS1N5819UR-1/TR Hersteller : Microchip Technology 7353131895-lds-0301-1.pdf 1 Amp Schottky Barrier Rectifiers
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JANS1N5819UR-1/TR JANS1N5819UR-1/TR Hersteller : Microchip Technology Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/586
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JANS1N5819UR-1/TR JANS1N5819UR-1/TR Hersteller : Microchip / Microsemi 1N6761UR-1393082.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V Small-Signal Schottky Round-End TR
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