JANTXV1N4107-1 Microchip / Microsemi
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Technische Details JANTXV1N4107-1 Microchip / Microsemi
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35, Packaging: Bulk, Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Part Status: Active, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.9 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/435.
Weitere Produktangebote JANTXV1N4107-1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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JANTXV1N4107-1 | Hersteller : Microchip Technology |
 Zener Diode Single 13V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag |
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JANTXV1N4107-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.9 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/435 |
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