JAN2N2369A

JAN2N2369A Microchip / Microsemi


LDS_0057-1593832.pdf Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Technische Details JAN2N2369A Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 15V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 360 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/317.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JAN2N2369A Hersteller : MICROSEMI 8893-lds-0057-datasheet TO-18/NPN SILICON TRANSISTOR 2N2369
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JAN2N2369A JAN2N2369A Hersteller : Microchip Technology 8893-lds-0057-datasheet Description: TRANS NPN 15V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/317
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