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JANTXV2N3700 MICROSEMI


125348-lds-0185-2-datasheet Hersteller: MICROSEMI
TO18/Low Power NPN Silicon Transistor 2N3700
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details JANTXV2N3700 MICROSEMI

Description: TRANS NPN 80V 1A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
JANTXV2N3700 JANTXV2N3700 Hersteller : ON Semiconductor 2n3019-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Box
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JANTXV2N3700 JANTXV2N3700 Hersteller : Microchip Technology 125348-lds-0185-2-datasheet Description: TRANS NPN 80V 1A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
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JANTXV2N3700 JANTXV2N3700 Hersteller : Microchip / Microsemi LDS_0185_2-1592603.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
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