KBU1002 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details KBU1002 GeneSiC Semiconductor
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 180A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 180A, Version: flat, Case: KBU, Electrical mounting: THT, Leads: wire Ø 1.3mm, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote KBU1002
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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KBU1002 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 180A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A Max. forward impulse current: 180A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| KBU1002 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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KBU1002 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 10A Bridge Rectifier |
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KBU1002 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 180A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A Max. forward impulse current: 180A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
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