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KSC1008YTA

KSC1008YTA onsemi

ksc1008-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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Technische Details KSC1008YTA onsemi

Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSC1008YTA KSC1008YTA Hersteller : onsemi / Fairchild KSC1008_D-2314516.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
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KSC1008YTA KSC1008YTA Hersteller : onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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KSC1008YTA KSC1008YTA Hersteller : ONSEMI 1868850.pdf Description: ONSEMI - KSC1008YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 50MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KSC1008YTA KSC1008YTA Hersteller : ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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KSC1008YTA KSC1008YTA Hersteller : ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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