KSC2690AYSTU ON Semiconductor
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Technische Details KSC2690AYSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.2A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 155MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote KSC2690AYSTU nach Preis ab 0.6 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
auf Bestellung 6997 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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| KSC2690AYSTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 2.5A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 155MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |