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KSC3503DS

KSC3503DS ON Semiconductor

ksc3503-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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Technische Details KSC3503DS ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 7 W.

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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : ON Semiconductor ksc3503-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : onsemi / Fairchild KSC3503_D-2314728.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : onsemi ksc3503-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : ONSEMI FAIRS26222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 7W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : ON Semiconductor ksc3503-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : ON Semiconductor ksc3503-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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KSC3503DS KSC3503DS Hersteller : ON Semiconductor ksc3503-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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KSC3503DS Hersteller : ONSEMI KSC3503.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 60...120
Collector current: 0.1A
Pulsed collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO126ISO
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