KSC3503DSTU ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 60...120
Collector current: 0.1A
Pulsed collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 153+ | 0.47 EUR |
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| 212+ | 0.34 EUR |
| 225+ | 0.32 EUR |
| 1920+ | 0.31 EUR |
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Technische Details KSC3503DSTU ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC3503DSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote KSC3503DSTU nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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KSC3503DSTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 60...120 Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 7W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO126ISO |
auf Bestellung 1912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC3503DSTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 7 W |
auf Bestellung 11815 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KSC3503DSTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 7023 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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KSC3503DSTU Produktcode: 174705 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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KSC3503DSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSC3503DSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSC3503DSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSC3503DSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSC3503DSTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3503DSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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