KSD880YTU ON Semiconductor
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Technische Details KSD880YTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSD880, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote KSD880YTU nach Preis ab 0.3 EUR bis 2.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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KSD880YTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
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KSD880YTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSD880 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KSD880YTU | Hersteller : FSC |
08+ SOP28 |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KSD880YTU Produktcode: 150371 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| KSD880YTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Power dissipation: 30W Frequency: 3MHz Type of transistor: NPN Collector current: 3A Polarisation: bipolar Current gain: 100...200 Collector-emitter voltage: 60V |
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