KSD882YS onsemi / Fairchild
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Technische Details KSD882YS onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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KSD882YS | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
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| KSD882YS | Hersteller : FAIRCHIL |
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KSD882YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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KSD882YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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KSD882YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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