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KSE45H11TU

KSE45H11TU ON Semiconductor

3652309781192851kse45h.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 1670mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details KSE45H11TU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 10A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.67 W.

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KSE45H11TU KSE45H11TU Hersteller : onsemi KSE45H.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.67 W
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KSE45H11TU KSE45H11TU Hersteller : onsemi / Fairchild KSE45H_D-2314776.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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