LL4002G L0 Taiwan Semiconductor
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Technische Details LL4002G L0 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote LL4002G L0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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LL4002G L0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Diode Small Signal Switching Si 100V 1A 2-Pin MELF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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LL4002G L0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Small Signal Switching Si 100V 1A 2-Pin MELF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| LL4002G L0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
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