M93С46-BN6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 2.26 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details M93С46-BN6 STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
Weitere Produktangebote M93С46-BN6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
|
M93С46-BN6 Produktcode: 86421 |
IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
|