MBR20045CT

MBR20045CT GeneSiC Semiconductor


mbr20080ct.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
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Technische Details MBR20045CT GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.

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MBR20045CT MBR20045CT Hersteller : GeneSiC Semiconductor mbr20045ct-2452052.pdf Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
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MBR20045CT Hersteller : GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
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