MBRT600200R GeneSiC Semiconductor
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Technische Details MBRT600200R GeneSiC Semiconductor
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward voltage: 0.92V, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common anode; double, Max. forward impulse current: 4kA, Leakage current: 10µA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode, Features of semiconductor devices: Schottky, Case: TO240AB, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MBRT600200R
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MBRT600200R | Hersteller : DACO Semiconductor |
 Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.92V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 4kA Leakage current: 10µA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Case: TO240AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MBRT600200R | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Power Schottky Diode |
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MBRT600200R | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER |
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MBRT600200R | Hersteller : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.92V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 4kA Leakage current: 10µA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Case: TO240AB |
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