MBT3946DW1T2G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 30...300
Collector current: 0.2A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
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Technische Details MBT3946DW1T2G ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Verlustleistung, PNP: 150mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.
Weitere Produktangebote MBT3946DW1T2G nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250...300MHz Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 30...300 Collector current: 0.2A Collector-emitter voltage: 40V Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 150mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 150mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MBT3946DW1T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
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