MJ11016G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 10.52 EUR |
| 9+ | 8.32 EUR |
| 10+ | 7.86 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJ11016G ONSEMI
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote MJ11016G nach Preis ab 7.02 EUR bis 14.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 1641 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
MJ11016G Produktcode: 173223 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
Produkt ist nicht verfügbar |