MJD112-1G ON Semiconductor
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Technische Details MJD112-1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD112-1G nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD112-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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MJD112-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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MJD112-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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MJD112-1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: IPAK Current gain: 100...12000 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD112-1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: IPAK Current gain: 100...12000 Mounting: THT |
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MJD112-1G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
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MJD112-1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD112-1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 74925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD112-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD112-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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