MJD41C-QJ

MJD41C-QJ Nexperia USA Inc.


MJD41C-Q.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details MJD41C-QJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD41C-QJ MJD41C-QJ Hersteller : Nexperia MJD41C_Q-2498499.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD41C-Q/SOT428/DPAK
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MJD41C-QJ MJD41C-QJ Hersteller : NEXPERIA 3388617.pdf Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD41C-QJ MJD41C-QJ Hersteller : NEXPERIA 3388617.pdf Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 6A
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Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJD41C-QJ MJD41C-QJ Hersteller : Nexperia mjd41c-q.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD41C-QJ Hersteller : NEXPERIA mjd41c-q.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD41C-QJ MJD41C-QJ Hersteller : Nexperia USA Inc. MJD41C-Q.pdf Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
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