MJD42C-QJ

MJD42C-QJ Nexperia USA Inc.


MJD42C-Q.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details MJD42C-QJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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MJD42C-QJ MJD42C-QJ Hersteller : Nexperia MJD42C_Q-2498503.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD42C-Q/SOT428/DPAK
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MJD42C-QJ MJD42C-QJ Hersteller : NEXPERIA 3388618.pdf Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Hersteller : NEXPERIA 3388618.pdf Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJD42C-QJ MJD42C-QJ Hersteller : Nexperia mjd42c-q.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD42C-QJ Hersteller : NEXPERIA mjd42c-q.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Hersteller : Nexperia USA Inc. MJD42C-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
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