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MJD42C1G

MJD42C1G onsemi

mjd41c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Technische Details MJD42C1G onsemi

Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD42C1G MJD42C1G Hersteller : onsemi MJD41C_D-2316115.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
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MJD42C1G MJD42C1G Hersteller : ONSEMI 2353990.pdf Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD42C1G
Produktcode: 170554 		mjd41c-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJD42C1G MJD42C1G Hersteller : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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