MJE13007 NTE Electronics, Inc.
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Technische Details MJE13007 NTE Electronics, Inc.
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 14MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.
Weitere Produktangebote MJE13007
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MJE13007 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
 TO220 Bipolar Transistors - BJT MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJE13007 | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE13007 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
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MJE13007 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJE13007 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJE13007 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |