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Technische Details MMBF170 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote MMBF170 nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBF170 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11454 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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MMBF170 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch Enhance |
auf Bestellung 146653 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 48720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 48720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF170 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBF170 | Hersteller : import |
N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 China TMMBF170lt1 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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MMBF170 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBF170 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBF170 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBF170 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
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