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Technische Details MMBFJ113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ113 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA, euEccn: NLR, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V.
Weitere Produktangebote MMBFJ113 nach Preis ab 0.091 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MMBFJ113 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate current: 50mA On-state resistance: 100Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: -35V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate current: 50mA On-state resistance: 100Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: -35V |
auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
JFET N-Channel Switch |
auf Bestellung 25619 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V |
auf Bestellung 4453 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ113 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
auf Bestellung 55851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ113 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
auf Bestellung 55851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ113 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ113 Produktcode: 176573 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBFJ113 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBFJ113 | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |