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MMBT5401-G

MMBT5401-G Comchip Technology

MMBT5401-G RevB201607.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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Technische Details MMBT5401-G Comchip Technology

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 300 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5401-G MMBT5401-G Hersteller : Comchip Technology qw-btr1820mmbt5401-g20revc.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401-G MMBT5401-G Hersteller : Comchip Technology MMBT5401-G RevB201607.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5401-G MMBT5401-G Hersteller : Comchip Technology MMBT5401_G_RevB201607-2506494.pdf RF Bipolar Transistors VCEO=-150V IC=-600mA
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Anzahl Preis ohne MwSt
57+0.92 EUR
82+ 0.64 EUR
200+ 0.26 EUR
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9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57
MMBT5401G Hersteller : ON 09+ QFP
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