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MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G onsemi


mmbt6428lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
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Technische Details MMBT6428LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 700MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of transistor: RF
Frequency: 700MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...650
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of transistor: RF
Frequency: 700MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...650
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Hersteller : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Hersteller : onsemi MMBT6428LT1_D-2316300.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
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3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 94
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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