MMBZ20VALT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.095 EUR |
| 6000+ | 0.088 EUR |
| 9000+ | 0.073 EUR |
| 30000+ | 0.072 EUR |
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Technische Details MMBZ20VALT1G onsemi
Description: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 19V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote MMBZ20VALT1G nach Preis ab 0.044 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 17V Max. forward impulse current: 1.4A Breakdown voltage: 20V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1619 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 17V Max. forward impulse current: 1.4A Breakdown voltage: 20V |
auf Bestellung 1619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 19V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No |
auf Bestellung 30638 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : onsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes 20V 225mW Dual Common Anode |
auf Bestellung 249753 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Durchbruchspannung, max.: 21V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V |
auf Bestellung 8771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Durchbruchspannung, max.: 21V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V |
auf Bestellung 8771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
20V; 40W; 20V; 40W; MMBZ20VALT1G SOT-23 DTMMBZ20VALT1G Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBZ20VALT1G Produktcode: 119534 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden |
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V 20Vbr 28Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V 20Vbr 28Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V 20Vbr 28Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V 20Vbr 28Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBZ20VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 17V 20Vbr 28Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |