MPLAD30KP260CA Microchip Technology
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Technische Details MPLAD30KP260CA Microchip Technology
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 289÷320V; 71A; bidirectional; PLAD, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 260V, Breakdown voltage: 289...320V, Max. forward impulse current: 71A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: PLAD, Mounting: SMD, Leakage current: 10µA.
Weitere Produktangebote MPLAD30KP260CA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MPLAD30KP260CA | Hersteller : Microsemi Corporation |
 Description: TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD |
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| MPLAD30KP260CA | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 289÷320V; 71A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 260V Breakdown voltage: 289...320V Max. forward impulse current: 71A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 10µA |
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| MPLAD30KP260CA | Hersteller : MICROSEMI |
SEE_DATASHEETTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MPLAD30 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPLAD30KP260CA | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 289÷320V; 71A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 260V Breakdown voltage: 289...320V Max. forward impulse current: 71A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 10µA |
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