MPLAD6.5KP11CA Microsemi Corporation
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Technische Details MPLAD6.5KP11CA Microsemi Corporation
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD, Mounting: SMD, Case: PLAD, Type of diode: TVS, Breakdown voltage: 12.2...13.5V, Peak pulse power dissipation: 6.5kW, Leakage current: 10µA, Max. forward impulse current: 358A, Semiconductor structure: bidirectional, Max. off-state voltage: 11V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MPLAD6.5KP11CA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Bidirectional SMD transil diodesDescription: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD Mounting: SMD Case: PLAD Type of diode: TVS Breakdown voltage: 12.2...13.5V Peak pulse power dissipation: 6.5kW Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 358A Semiconductor structure: bidirectional Max. off-state voltage: 11V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes 11V, 5%, 6500W, bi, mini-PLAD, SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD Mounting: SMD Case: PLAD Type of diode: TVS Breakdown voltage: 12.2...13.5V Peak pulse power dissipation: 6.5kW Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 358A Semiconductor structure: bidirectional Max. off-state voltage: 11V |
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