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MRF5812G

MRF5812G Microsemi


mrf5812r1r2reva.pdf Hersteller: Microsemi
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC
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Technische Details MRF5812G Microsemi

Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Supplier Device Package: 8-SO.

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MRF5812G MRF5812G Hersteller : Microsemi Corporation 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SO
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