MSC015SMA070B4 Microchip Technology
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Technische Details MSC015SMA070B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 455W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 455W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC015SMA070B4 nach Preis ab 93.98 EUR bis 93.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
 Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 455W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-4 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 455W Gate charge: 215nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 99A Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V |
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MSC015SMA070B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-4 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 455W Gate charge: 215nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 99A Kind of channel: enhanced |
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