MSC025SMA120B4 Microchip Technology
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Technische Details MSC025SMA120B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC025SMA120B4 nach Preis ab 48.71 EUR bis 81.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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| MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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| MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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| MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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| MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
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| MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 500W Case: TO247-4 On-state resistance: 31mΩ Mounting: THT Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 500W Case: TO247-4 On-state resistance: 31mΩ Mounting: THT Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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