MSC030SDA070K Microchip Technology
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Technische Details MSC030SDA070K Microchip Technology
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 72W; TO220-2, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 700V, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward voltage: 1.75V, Case: TO220-2, Leakage current: 10µA, Max. forward impulse current: 146A, Power dissipation: 72W, Heatsink thickness: 1.14...1.4mm, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSC030SDA070K nach Preis ab 10.66 EUR bis 16.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC030SDA070K | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A |
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| MSC030SDA070K | Hersteller : Microsemi |
MSC030SDA070K |
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| MSC030SDA070K | Hersteller : Microchip Technology |
UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-220 |
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MSC030SDA070K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 72W; TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 700V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.75V Case: TO220-2 Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 146A Power dissipation: 72W Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC030SDA070K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 72W; TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 700V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.75V Case: TO220-2 Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 146A Power dissipation: 72W Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
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