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Technische Details MSC030SDA170B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 230nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC030SDA170B nach Preis ab 37.74 EUR bis 59.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MSC030SDA170B | Hersteller : Microchip Technology |
 Schottky Diodes & Rectifiers UNRLS, FG, SIC SBD, TO-247 |
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MSC030SDA170B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 230nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| MSC030SDA170B | Hersteller : Microsemi |
Schottky Barrier Diodes |
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MSC030SDA170B | Hersteller : Microchip Technology |
Schottky Barrier Diodes |
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MSC030SDA170B | Hersteller : Microchip Technology |
Schottky Barrier Diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC030SDA170B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 30A; 186W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.25V Case: TO247-2 Leakage current: 125µA Max. forward impulse current: 353A Power dissipation: 186W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC030SDA170B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 82A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V |
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MSC030SDA170B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 30A; 186W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.25V Case: TO247-2 Leakage current: 125µA Max. forward impulse current: 353A Power dissipation: 186W |
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