MSC035SMA170B Microchip Technology
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Technische Details MSC035SMA170B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC035SMA170B nach Preis ab 92.06 EUR bis 99.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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MSC035SMA170B | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V |
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MSC035SMA170B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| MSC035SMA170B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 |
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MSC035SMA170B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 370W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 178nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC035SMA170B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 370W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 178nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV |
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