MSC040SMA120B4 MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Power dissipation: 323W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 137nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 105A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Technische Details MSC040SMA120B4 MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 323W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 323W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MSC040SMA120B4 nach Preis ab 27.01 EUR bis 61.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Power dissipation: 323W Mounting: THT Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 137nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 323W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
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