MSC080SMA120B MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Gate charge: 64nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 91A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Gate charge: 64nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 91A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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4+ | 18.48 EUR |
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Technische Details MSC080SMA120B MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08, Rds(on)-Prüfspannung: 20, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MSC080SMA120B nach Preis ab 14.76 EUR bis 30.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSC080SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W Power dissipation: 200W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 64nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 91A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 13020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC080SMA120B Produktcode: 191923 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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