Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSCSM120AM16CT1AG
MSCSM120AM16CT1AG

MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology


Microsemi_MSCSM120AM16CT1AG_Phase_Leg_SiC_MOSFET-1855469.pdf Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+537.91 EUR
100+ 466.18 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB, Case: SP1F, Pulsed drain current: 350A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote MSCSM120AM16CT1AG nach Preis ab 614.82 EUR bis 614.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MSCSM120AM16CT1AG MSCSM120AM16CT1AG Hersteller : Microchip Technology 1244779-mscsm120am16ct1ag-datasheet Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+614.82 EUR
MSCSM120AM16CT1AG Hersteller : Microchip Technology microsemi_mscsm120am16ct1ag_phase_leg_sic_mosfet.pdf Phase Leg Sic Mosfet Power Module
Produkt ist nicht verfügbar
MSCSM120AM16CT1AG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244779-mscsm120am16ct1ag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB
Case: SP1F
Pulsed drain current: 350A
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 138A
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 745W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MSCSM120AM16CT1AG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244779-mscsm120am16ct1ag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB
Case: SP1F
Pulsed drain current: 350A
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 138A
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 745W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar