MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 1296.85 EUR |
| 10+ | 1296.83 EUR |
| 100+ | 1048.61 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Pulsed drain current: 350A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM120HM16CT3AG nach Preis ab 1349.63 EUR bis 1349.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "MSCSM120HM16CT3AG") |
MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||
| MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
Full Bridge Sic Mosfet Power Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
| MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
| MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor |
Produkt ist nicht verfügbar |