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MT53E256M32D2DS-053 WT:B

MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron

200b_z00m_non_auto_lpddr4_lpddr4x-3165042.pdf Hersteller: Micron
DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA
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Technische Details MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron

Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -30°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit.

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B MT53E256M32D2DS-053 WT:B Hersteller : MICRON MICT-S-A0017465181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B Hersteller : Micron Technology pgurl_mt53e256m32d2ds-053.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA Tray
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B Hersteller : MICRON
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