Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MUN2211T1G
MUN2211T1G

MUN2211T1G ON Semiconductor


dtc114e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4831+0.033 EUR
9000+ 0.029 EUR
24000+ 0.024 EUR
45000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 4831
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN2211T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Weitere Produktangebote MUN2211T1G nach Preis ab 0.019 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4630+0.034 EUR
9000+ 0.031 EUR
24000+ 0.025 EUR
45000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 4630
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4630+0.034 EUR
9000+ 0.031 EUR
24000+ 0.025 EUR
45000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 4630
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4465+0.035 EUR
9000+ 0.032 EUR
24000+ 0.026 EUR
45000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 4465
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 29927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3803+0.042 EUR
3847+ 0.04 EUR
5556+ 0.026 EUR
5918+ 0.024 EUR
6290+ 0.022 EUR
15000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3803
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1450+0.05 EUR
1900+ 0.038 EUR
2150+ 0.033 EUR
2600+ 0.028 EUR
2750+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1450
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1450+0.05 EUR
1900+ 0.038 EUR
2150+ 0.033 EUR
2600+ 0.028 EUR
2750+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1450
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.066 EUR
6000+ 0.062 EUR
9000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 29927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1171+0.13 EUR
1866+ 0.082 EUR
1905+ 0.077 EUR
3746+ 0.038 EUR
3803+ 0.036 EUR
3847+ 0.034 EUR
5556+ 0.022 EUR
5918+ 0.021 EUR
6290+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1171
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
143+0.36 EUR
230+ 0.23 EUR
445+ 0.12 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.057 EUR
9000+ 0.052 EUR
24000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 143
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 31331 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+0.39 EUR
98+ 0.27 EUR
179+ 0.15 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 105432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T1G MUN2211T1G
Produktcode: 103955
Hersteller : ON dtc114e-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar