MURS360S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
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Technische Details MURS360S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote MURS360S-M3/5BT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MURS360S-M3/5BT | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360S-M3/5BT | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMB T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURS360S-M3/5BT | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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