NAND04GW3B2DN6E
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Technische Details NAND04GW3B2DN6E
Description: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 48-TSOP, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 512M x 8, DigiKey Programmable: Verified.
Weitere Produktangebote NAND04GW3B2DN6E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NAND04GW3B2DN6E Produktcode: 56408 |
 IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
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NAND04GW3B2DN6E | Hersteller : Micron Technology |
NAND Flash Parallel 3V/3.3V 4G-bit 512M x 8 25us 48-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NAND04GW3B2DN6E | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP Part Status: Discontinued at Digi-Key Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 512M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
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