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NDC7002N

NDC7002N ON Semiconductor

ndc7002n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details NDC7002N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NDC7002N NDC7002N Hersteller : onsemi ndc7002n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3000+0.34 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
30000+ 0.29 EUR
75000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI NDC7002N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
205+0.35 EUR
255+ 0.28 EUR
335+ 0.22 EUR
350+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 205
NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI NDC7002N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : ON Semiconductor ndc7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Anzahl Preis ohne MwSt
343+0.46 EUR
432+ 0.35 EUR
504+ 0.29 EUR
561+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 343
NDC7002N NDC7002N Hersteller : ON Semiconductor ndc7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R
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252+0.63 EUR
301+ 0.51 EUR
343+ 0.43 EUR
432+ 0.33 EUR
504+ 0.27 EUR
561+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 252
NDC7002N NDC7002N Hersteller : onsemi ndc7002n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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26+1.01 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : onsemi / Fairchild NDC7002N_D-2317644.pdf MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
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Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.02 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI 2304197.pdf Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 86760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI 2304197.pdf Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : ON Semiconductor ndc7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R
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