NDC7003P onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NDC7003P onsemi
Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NDC7003P nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NDC7003P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 10903 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NDC7003P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 30081 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NDC7003P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDC7003P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDC7003P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NDC7003P | Hersteller : Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R NDC7003P TNDC7003p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDC7003P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.34A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NDC7003P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NDC7003P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NDC7003P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.34A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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