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Technische Details NDS351AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.092 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NDS351AN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NDS351AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NDS351AN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC |
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NDS351AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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NDS351AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 370650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS351AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.092 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NDS351AN | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 460mW NDS351AN 3-SSOT Fairchild TNDS351an Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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NDS351AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NDS351AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NDS351AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NDS351AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NDS351AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V |
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NDS351AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V |
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