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NDT2955

NDT2955 ON Semiconductor

ndt2955-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NDT2955 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V.

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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ON Semiconductor ndt2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ON Semiconductor ndt2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ON Semiconductor ndt2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ONSEMI NDT2955-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
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94+0.77 EUR
127+ 0.56 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ONSEMI NDT2955-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : onsemi / Fairchild NDT2955_D-2317771.pdf MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ON Semiconductor 3351680229516535ndt2955.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ON Semiconductor 3351680229516535ndt2955.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT2955 NDT2955 Hersteller : ONSEMI 2013365.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
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NDT2955 Hersteller : ON-Semicoductor ndt2955-d.pdf P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 50
NDT2955 NDT2955 Hersteller : ON Semiconductor ndt2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Produktcode: 60796 		ndt2955-d.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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